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SIR662DP-T1-GE3 MOSFETs de canal N 60 V 60A (Tc) 6.25W (Ta)/104W (Tc)
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | originais |
| Marca: | original |
| Certificação: | original |
| Número do modelo: | LP2950CDT-5.0/NOPB |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 1 |
|---|---|
| Preço: | negotiation |
| Detalhes da embalagem: | Caixa de cartão |
| Tempo de entrega: | 3-5 dias |
| Termos de pagamento: | T/T |
| Habilidade da fonte: | 1000 |
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Informação detalhada |
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| Tipo do FET: | N-canal | Drene à tensão da fonte (Vdss): | 60 V |
|---|---|---|---|
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C: | 60A (Tc) | Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| RDS (máximo) @ na identificação, Vgs: | 2.7mOhm @ 20A, 10V | Identificação de Vgs (th) (máximo) @: | 2.5V @ 250µA |
| Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: | 96 nC @ 10 V | Vgs (máximo): | ±20V |
| Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds: | 4365 pF @ 30 V | Dissipação de poder (máxima): | 6.25 W (Ta), 104 W (Tc) |
| Realçar: | SIR662DP-T1-GE3,MOSFETs de canal N de 60 V |
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Descrição de produto
SIR662DP-T1-GE3 MOSFETs de canal N 60 V 60A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc)
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8 Instalação de superfície PowerPAK® SO-8
Especificações deSIR662DP-T1-GE3
| TÍPO | Descrição |
| Categoria | Produtos de semicondutores discretos |
| FETs únicos, MOSFETs | |
| Mfr | Vishay Siliconix |
| Série | TrenchFET® |
| Pacote | Tape & Reel (TR) |
| Estatuto do produto | Atividade |
| Tipo de FET | N-canal |
| Tecnologia | MOSFET (óxido metálico) |
| Voltagem de saída para a fonte (Vdss) | 60 V |
| Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250μA |
| Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 96 nC @ 10 V |
| Vgs (máximo) | ± 20V |
| Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4365 pF @ 30 V |
| Característica FET | - |
| Dissipação de energia (máximo) | 6.25 W (Ta), 104 W (Tc) |
| Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Montagem de superfície |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PowerPAK® SO-8 |
| Embalagem / Caixa | PowerPAK® SO-8 |
| Número do produto de base | SIR662 |
Características doSIR662DP-T1-GE3
• MOSFET de potência TrenchFET®
• 100% Rg e UIS testados
• Baixo Qg para alta eficiência
Aplicações deSIR662DP-T1-GE3
• Interruptor lateral primário
• POL
• Rectificador síncrono
• Conversor DC/DC
• Sistema de entretenimento
• Indústria
• Iluminação LED
Classificações ambientais e de exportação deSIR662DP-T1-GE3
| Atributo | Descrição |
| Estatuto da RoHS | Conformidade com a ROHS3 |
| Nível de sensibilidade à humidade (MSL) | 1 (Ilimitado) |
| Nomenclatura | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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