• NAND512W3A2SN6E FLASH - Memória NAND IC 512Mbit paralelo 50 ns 48-TSOP
NAND512W3A2SN6E FLASH - Memória NAND IC 512Mbit paralelo 50 ns 48-TSOP

NAND512W3A2SN6E FLASH - Memória NAND IC 512Mbit paralelo 50 ns 48-TSOP

Detalhes do produto:

Lugar de origem: originais
Marca: original
Certificação: original
Número do modelo: NAND512W3A2SN6E

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: negotiation
Detalhes da embalagem: Caixa de cartão
Tempo de entrega: 3-5 dias
Termos de pagamento: T/T
Habilidade da fonte: 1000
Melhor preço Contato

Informação detalhada

Tipo da memória: Permanente Formato da memória: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND Tamanho de memória: 512Mbit
Organização da memória: 64M x 8 Relação da memória: Paralelo
Escreva o tempo de ciclo - palavra, página: 50ns Tempo de acesso: 50 ns
Voltagem - Fornecimento: 2.7V ~ 3.6V Temperatura de funcionamento: -40°C ~ 85°C (TA)

Descrição de produto

NAND512W3A2SN6E FLASH - Memória NAND IC 512Mbit paralelo 50 ns 48-TSOP
 
IC FLASH 512MBIT PARALHEL 48TSOP
 
Especificações deNAND512W3A2SN6E

 

TÍPO Descrição
Categoria Memória
Mfr Micron Technology Inc.
Série -
Pacote Caixa
Tipo de memória Não voláteis
Formato de memória Flash
Tecnologia Flash - NAND
Tamanho da Memória 512 Mbit
Organização da memória 64M x 8
Interface de memória Paralelo
Escreva o tempo do ciclo - palavra, página 50 ns
Tempo de acesso 50 ns
Voltagem - Fornecimento 2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamento -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem Montagem de superfície
Embalagem / Caixa 48-TFSOP (0,724", 18,40 mm de largura)
Pacote de dispositivos do fornecedor 48-TSOP
Número do produto de base NAND512


Classificações ambientais e de exportação deNAND512W3A2SN6E

 

Atributo Descrição
Estatuto da RoHS Conformidade com a ROHS3
Nível de sensibilidade à humidade (MSL) 3 (168 horas)
Estatuto REACH REACH Não afectado
Nomenclatura 3A991B1A
HTSUS 8542.32.0071

 

NAND512W3A2SN6E FLASH - Memória NAND IC 512Mbit paralelo 50 ns 48-TSOP 0

 

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