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IRFR3710ZTRPBF Componentes eletrónicos MOSFET N-Channel 100 V 42A (Tc) 140W (Tc) D-Pak
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | originais |
| Marca: | original |
| Certificação: | original |
| Número do modelo: | IRFR3710ZTRPBF |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 1 |
|---|---|
| Preço: | negotiation |
| Detalhes da embalagem: | Caixa de cartão |
| Tempo de entrega: | 3-5 dias |
| Termos de pagamento: | T/T |
| Habilidade da fonte: | 1000 |
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Informação detalhada |
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| Tipo do FET: | N-canal | Tecnologia: | MOSFET (óxido de metal) |
|---|---|---|---|
| Drene à tensão da fonte (Vdss): | 100 V | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C: | 42A (Tc) |
| Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On): | 10 V | RDS (máximo) @ na identificação, Vgs: | 18 mOhm @ 33A, 10V |
| Identificação de Vgs (th) (máximo) @: | 4V @ 250µA | Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: | 100 nC @ 10 V |
| Vgs (máximo): | ±20V | Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds: | 2930 pF @ 25 V |
| Realçar: | IRFR3710ZTRPBF,IRFR3710ZTRPBF Componentes eletrónicos,MOSFET de canal N de 100 V 42A |
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Descrição de produto
IRFR3710ZTRPBF Componentes eletrónicos N-Channel 100 V 42A (Tc) 140W (Tc) D-Pak
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Especificações deIRFR3710ZTRPBF
| TÍPO | Descrição |
| Categoria | FETs únicos, MOSFETs |
| Mfr | Tecnologias Infineon |
| Série | HEXFET® |
| Pacote | Tape & Reel (TR) |
| Estatuto do produto | Atividade |
| Tipo de FET | N-canal |
| Tecnologia | MOSFET (óxido metálico) |
| Voltagem de saída para a fonte (Vdss) | 100 V |
| Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C | 42A (Tc) |
| Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On) | 10 V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 33A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
| Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| Vgs (máximo) | ± 20V |
| Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2930 pF @ 25 V |
| Característica FET | - |
| Dissipação de energia (máximo) | 140 W (Tc) |
| Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Montagem de superfície |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | D-Pak |
| Embalagem / Caixa | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Número do produto de base | IRFR3710 |
Características doIRFR3710ZTRPBF
* Tecnologia de processo avançada
* Ultra Baixa Resistência
* 175°C Temperatura de funcionamento
* Mudança rápida
* Avalanche repetitiva permitida até Tjmax
* Opções de pacotes múltiplos
* Sem chumbo
Aplicações do IRFR3710ZTRPBF
Este HEXFET® Power MOSFET utiliza as mais recentes técnicas de processamento para alcançar uma resistência de ligação extremamente baixa por área de silício.As características adicionais deste projeto são uma temperatura de funcionamento de junção de 175°C, velocidade de comutação rápida e melhor classificação de avalanche repetitivo.
Classificações ambientais e de exportação deIRFR3710ZTRPBF
| Atributo | Descrição |
| Estatuto da RoHS | Conformidade com a ROHS3 |
| Nível de sensibilidade à humidade (MSL) | 1 (Ilimitado) |
| Estatuto REACH | REACH Não afectado |
| Nomenclatura | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
