• SIR426DP-T1-GE3 MOSFETs de canal N 40 V 30A 4.8W 41.7W Monte de superfície
SIR426DP-T1-GE3 MOSFETs de canal N 40 V 30A 4.8W 41.7W Monte de superfície

SIR426DP-T1-GE3 MOSFETs de canal N 40 V 30A 4.8W 41.7W Monte de superfície

Detalhes do produto:

Lugar de origem: originais
Marca: original
Certificação: original
Número do modelo: SIR426DP-T1-GE3

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: negotiation
Detalhes da embalagem: Caixa de cartão
Tempo de entrega: 3-5 dias
Termos de pagamento: T/T
Habilidade da fonte: 1000
Melhor preço Contato

Informação detalhada

Tipo do FET: N-canal Tecnologia: MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss): 40 V Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V RDS (máximo) @ na identificação, Vgs: 10.5mOhm @ 15A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @: 2.5V @ 250µA Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Vgs (máximo): ±20V Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds: 1160 pF @ 20 V
Realçar:

SIR426DP-T1-GE3

,

SIR426DP-T1-GE3 MOSFETs

,

MOSFETs de canal N montados na superfície

Descrição de produto

SIR426DP-T1-GE3 MOSFETs N-Channel 40 V 30A 4.8W 41.7W PowerPAK®
 
MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
 
Especificações de
SIR426DP-T1-GE3

 

TÍPO Descrição
Categoria FETs únicos, MOSFETs
Mfr Vishay Siliconix
Série TrenchFET®
Pacote Tape & Reel (TR)
Faixa de corte (TC)
Estatuto do produto Atividade
Tipo de FET N-canal
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)
Voltagem de saída para a fonte (Vdss) 40 V
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250μA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 31 nC @ 10 V
Vgs (máximo) ± 20V
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1160 pF @ 20 V
Característica FET -
Dissipação de energia (máximo) 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Montagem de superfície
Pacote de dispositivos do fornecedor PowerPAK® SO-8
Embalagem / Caixa PowerPAK® SO-8
Número do produto de base SIR426

 

Características doSIR426DP-T1-GE3


• TrenchFET® Power MOSFET
• 100% Rg e UIS testados

 

 

Aplicações deSIR426DP-T1-GE3


• Conversores DC/DC
- Buck sincronizado.
- Rectificador síncrono

 


Classificações ambientais e de exportação deSIR426DP-T1-GE3

 
Atributo Descrição
Estatuto da RoHS Conformidade com a ROHS3
Nível de sensibilidade à humidade (MSL) 1 (Ilimitado)
Nomenclatura EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 

SIR426DP-T1-GE3 MOSFETs de canal N 40 V 30A 4.8W 41.7W Monte de superfície 0

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