 |
SI1416EDH-T1-GE3 Canal N 30 V 3.9A 2.8W Montador de superfície SC-70-6
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | originais |
| Marca: | original |
| Certificação: | original |
| Número do modelo: | SI1416EDH-T1-GE3 |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 1 |
|---|---|
| Preço: | negotiation |
| Detalhes da embalagem: | Caixa de cartão |
| Tempo de entrega: | 3-5 dias |
| Termos de pagamento: | T/T |
| Habilidade da fonte: | 1000 |
|
Informação detalhada |
|||
| Tipo do FET: | N-canal | Tecnologia: | MOSFET (óxido de metal) |
|---|---|---|---|
| Drene à tensão da fonte (Vdss): | 30V | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C: | 3.9A (Tc) |
| Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 10V | RDS (máximo) @ na identificação, Vgs: | 58mOhm @ 3.1A, 10V |
| Identificação de Vgs (th) (máximo) @: | 1.4V @ 250µA | Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: | 12 nC @ 10 V |
| Vgs (máximo): | ±12V | Dissipação de poder (máxima): | 2.8W (Tc) |
Descrição de produto
CG3 2.7L tubo de descarga de gás 2700 V 5000A (5kA) 2 pólo através do buraco
GDT 2700V 5KA 2 POLE TH
Especificações deSI1416EDH-T1-GE3
| TÍPO | Descrição |
| Categoria | FETs únicos, MOSFETs |
| Mfr | Vishay Siliconix |
| Série | TrenchFET® |
| Pacote | Tape & Reel (TR) |
| Estatuto do produto | Atividade |
| Tipo de FET | N-canal |
| Tecnologia | MOSFET (óxido metálico) |
| Voltagem de saída para a fonte (Vdss) | 30 V |
| Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C | 3.9A (Tc) |
| Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On) | 2.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58mOhm @ 3.1A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250μA |
| Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Vgs (máximo) | ± 12 V |
| Característica FET | - |
| Dissipação de energia (máximo) | 2.8W (Tc) |
| Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Montagem de superfície |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SC-70-6 |
| Embalagem / Caixa | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Número do produto de base | SI1416 |
Características do SI1416EDH-T1-GE3
• MOSFET de potência TrenchFET®
• Proteção ESD típica 1500 V em HBM
• 100% Rg testado
Nota do SI1416EDH-T1-GE3
• Dispositivos portáteis, tais como telefones inteligentes e tablets
- Conversores DC/DC
- Comutação de alta frequência
- Interruptor OVP.
- Interruptor de carga.
Classificações ambientais e de exportação deSI1416EDH-T1-GE3
| Atributo | Descrição |
| Estatuto da RoHS | Conformidade com a ROHS3 |
| Nível de sensibilidade à humidade (MSL) | 1 (Ilimitado) |
| Estatuto REACH | REACH Não afectado |
| Nomenclatura | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Deseja saber mais detalhes sobre este produto