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IRLML5103TRPBF Componentes eletrónicos MOSFET P-Channel 30 V 760mA 540mW
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | originais |
| Marca: | original |
| Certificação: | original |
| Número do modelo: | IRLML5103TRPBF |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 1 |
|---|---|
| Preço: | negotiation |
| Detalhes da embalagem: | Caixa de cartão |
| Tempo de entrega: | 3-5 dias |
| Termos de pagamento: | T/T |
| Habilidade da fonte: | 1000 |
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Informação detalhada |
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| Tipo do FET: | P-canal | Drene à tensão da fonte (Vdss): | 30 V |
|---|---|---|---|
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C: | 760mA (Ta) | Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| RDS (máximo) @ na identificação, Vgs: | 600mOhm @ 600mA, 10V | Identificação de Vgs (th) (máximo) @: | 1V @ 250µA |
| Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: | 5,1 nC @ 10 V | Vgs (máximo): | ±20V |
| Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds: | 75 pF | Dissipação de poder (máxima): | 540mW (Ta) |
Descrição de produto
IRLML5103TRPBF Componentes eletrónicos MOSFET P-Channel 30 V 760mA 540mW
MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23
Especificações deIRLML5103TRPBF
| TÍPO | Descrição |
| Categoria | FETs únicos, MOSFETs |
| Mfr | Tecnologias Infineon |
| Série | HEXFET® |
| Pacote | Tape & Reel (TR) |
| Estatuto do produto | Atividade |
| Tipo de FET | Canal P |
| Tecnologia | MOSFET (óxido metálico) |
| Voltagem de saída para a fonte (Vdss) | 30 V |
| Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C | 760 mA (Ta) |
| Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 600 mA, 10 V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250μA |
| Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 5.1 nC @ 10 V |
| Vgs (máximo) | ± 20V |
| Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 75 pF |
| Característica FET | - |
| Dissipação de energia (máximo) | 540 mW (Ta) |
| Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Montagem de superfície |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | Micro3TM/SOT-23 |
| Embalagem / Caixa | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Número do produto de base | IRLML5103 |
Características doIRLML5103TRPBF
* Tecnologia da Geração V
* Ultra-baixa resistência
* P-ChannelMOSFET
* SOT-23 Impressão
* Perfil baixo (< 1,1 mm)
* Disponível em fita e rolo
* Mudança rápida
* Sem chumbo
* Compatível com a RoHS, sem halogênio
Descrições deIRLML5103TRPBF
Os HEXFETs de quinta geração do International Rectifier utilizam técnicas de processamento avançadas para obter uma resistência de combustão extremamente baixa por área de silício.Combinado com a velocidade de comutação rápida e o design robusto do dispositivo pelos quais os MOSFETs HEXFET Power são conhecidos, proporciona ao designer um dispositivo extremamente eficiente e fiável para utilização numa grande variedade de aplicações.
Classificações ambientais e de exportação deIRLML5103TRPBF
| Atributo | Descrição |
| Estatuto da RoHS | Conformidade com a ROHS3 |
| Nível de sensibilidade à humidade (MSL) | 1 (Ilimitado) |
| Estatuto REACH | REACH Não afectado |
| Nomenclatura | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
