IS46TR16256AL-125KBLA2 SDRAM - DDR3L Memória IC 4Gbit Paralelo 800 MHz 20 Ns 96-TWBGA
Detalhes do produto:
Lugar de origem: | Original |
Marca: | original |
Certificação: | original |
Número do modelo: | IS46TR16256AL-125KBLA2 |
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: | 1 |
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Preço: | negotiation |
Detalhes da embalagem: | Caixa da caixa |
Tempo de entrega: | dias 1-3working |
Termos de pagamento: | T/T |
Habilidade da fonte: | 100.000 |
Informação detalhada |
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Tipo da memória: | Atividade | Formato da memória: | GOLE |
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Tecnologia: | SDRAM - DDR3L | Tamanho de memória: | 4Gbit |
Organização da memória: | 256M x 16 | Relação da memória: | Paralelo |
Frequência de pulso de disparo: | 800 MHz | Escreva o tempo de ciclo - palavra, página: | 15ns |
Tempo de acesso: | 20 ns | ||
Realçar: | IS46TR16256AL-125KBLA2,IC de memória SDRAM DDR3L,IC de memória de 800 MHz |
Descrição de produto
IS46TR16256AL-125KBLA2 SDRAM - DDR3L Memória IC 4Gbit Paralelo 800 MHz 20 ns 96-TWBGA
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
Especificações de IS46TR16256AL-125KBLA2
TÍPO | Descrição |
Categoria | Circuitos integrados (CI) |
Memória | |
Mfr | ISSI, Solução Integrada de Silício Inc. |
Série | - |
Pacote | Caixa |
Estatuto do produto | Obsoletos |
Tipo de memória | Volátil |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR3L |
Tamanho da Memória | 4Gbit |
Organização da memória | 256M x 16 |
Interface de memória | Paralelo |
Frequência do relógio | 800 MHz |
Escreva o tempo do ciclo - palavra, página | 15n |
Tempo de acesso | 20 ns |
Voltagem - Fornecimento | 1.283V ~ 1.45V |
Temperatura de funcionamento | -40°C ~ 105°C (TC) |
Tipo de montagem | Montagem de superfície |
Embalagem / Caixa | 96-TFBGA |
Pacote de dispositivos do fornecedor | 96-TWBGA (9x13) |
Número do produto de base | IS46TR16256 |
CaracterísticasdeIS46TR16256AL-125KBLA2
* Tensão padrão: VDD e VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
* Baixa tensão (L): VDD e VDDQ = 1,35V + 0,1V, -0,067V
- Compatível com 1.5V
* Taxas de transferência de dados de alta velocidade com frequência de sistema até 1066 MHz
* 8 bancos internos para operação simultânea
* Arquitetura de pré-recolha de 8n-bit
* Latência CAS programável
* Latência aditiva programável: 0, CL-1, CL-2
* Latência de gravação de CAS programável (CWL) baseada em tCK
* Duração de explosão programável: 4 e 8
* Sequência de explosão programável: Sequencial ou Interleave
* BL comutação no vôo
* Auto auto-refresque (ASR)
* Temperatura de auto-refrescamento (SRT)
* Intervalo de atualização:
- 7,8 us (8192 ciclos/ 64 ms) Tc= -40°C a 85°C
- 3,9 us (8192 ciclos/32 ms) Tc= 85°C a 105°C
* Auto-refrescamento de matriz parcial
* Pin ASINcrônico de RESET
* TDQS (Termination Data Strobe) suportado (apenas x8)
* OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment)
* ODT dinâmico (terminação instantânea)
* Força do condutor: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
* Escrever nivelamento
* Até 200 MHz no modo DLL desligado
* Temperatura de funcionamento:
- Comercial (TC = 0°C a +95°C)
- Industrial (TC = -40°C a +95°C)
- Automóveis, A1 (TC = -40°C a +95°C)
- Automóveis, A2 (TC = -40°C a +105°C)
AplicaçõesdeIS46TR16256AL-125KBLA2
Configuração:
- 512Mx8
- 256Mx16
Embalagem:
- 96-bola BGA (9mm x 13mm) para x16
- 78-bola BGA (9mm x 10,5mm) para x8
Classificações ambientais e de exportação deIS46TR16256AL-125KBLA2
Atributo | Descrição |
Estatuto da RoHS | Conformidade com a ROHS3 |
Nível de sensibilidade à humidade (MSL) | 3 (168 horas) |
Estatuto REACH | REACH Não afectado |
Nomenclatura | EAR99 |
HTSUS | 8542.32.0036 |