• Memória Chip Ic Opamp Gp de TLV316IDBVR Emmc 1 296-47219-1-Nd do circuito Sot23-5
Memória Chip Ic Opamp Gp de TLV316IDBVR Emmc 1 296-47219-1-Nd do circuito Sot23-5

Memória Chip Ic Opamp Gp de TLV316IDBVR Emmc 1 296-47219-1-Nd do circuito Sot23-5

Detalhes do produto:

Lugar de origem: original
Marca: original
Certificação: original
Número do modelo: TLV316IDBVR

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: negotiation
Detalhes da embalagem: Caixa da caixa
Tempo de entrega: dias 1-3working
Termos de pagamento: T/T, L/C
Habilidade da fonte: 100.000
Melhor preço Contato

Informação detalhada

Estado do produto: Ativo Tipo do amplificador: Uso geral
Número de circuitos: 1 Tipo da saída: Trilho-à-trilho
Taxa de pântano: 6V/µs Produto da largura de banda do ganho: 10 megahertz
Atual - polarização entrada: Pa 10 Tensão - offset entrado: µV 750

Descrição de produto

TLV316IDBVR Emmc Memory Chip Ic Opamp Gp 1 Circuit Sot23-5 296-47219-1-Nd
 
Amplificador de Uso Geral 1 Circuito Rail-to-Rail SOT-23-5

 

Especificações deTLV316IDBVR

 

TIPO DESCRIÇÃO
Categoria Circuitos Integrados (CIs)
Linear
Amplificadores
Instrumentação, OP Amps, Buffer Amps
Mfr Instrumentos Texas
Series -
Pacote Fita e Carretel (TR)
Fita Cortada (CT)
Digi-Reel®
Status do produto Ativo
Tipo de amplificador Propósito geral
Número de circuitos 1
Tipo de saída Trilho para trilho
Taxa de giro 6V/µs
Ganho Produto de Largura de Banda 10 MHz
Corrente - Viés de entrada 10 pA
Tensão - Compensação de entrada 750 µV
Atual - Fornecimento 400µA
Tensão - Extensão de Fornecimento (Min) 1,8 V
Tensão - Extensão de Fornecimento (Máx.) 5,5 V
Temperatura de operação -40°C ~ 125°C
Tipo de montagem Montagem em superfície
Pacote / Estojo SC-74A, SOT-753
Pacote de dispositivos do fornecedor SOT-23-5
Número do produto base TLV316

 

Características deTLV316IDBVR

 

• Largura de banda de ganho unitário: 10 MHz
• Baixo QI: 400 µA/ch
– Excelente relação potência/largura de banda
- QI estável acima da temperatura e faixa de alimentação
• Ampla faixa de alimentação: 1,8 V a 5,5 V
• Baixo Ruído: 12 nV/√Hz a 1 kHz
• Baixa corrente de polarização de entrada: 10 pA
• Tensão de deslocamento: 0,75 mV
• Ganho de unidade estável
• Filtro RFI/EMI Interno
 

Formulários deTLV316IDBVR

 

• Instrumentos alimentados por bateria:
– Consumidor, Industrial, Médico
– Notebooks, players de mídia portáteis
• Condicionamento do Sinal do Sensor
• Scanners de código de barras
• Filtros Ativos
• Áudio

 

Classificações Ambientais e de Exportação deTLV316IDBVR

 

ATRIBUTO DESCRIÇÃO
Status RoHS Compatível com ROHS3
Nível de Sensibilidade à Umidade (MSL) 2 (1 ano)
Estado REACH REACH não afetado
ECCN EAR99
HTSUS 8542.33.0001

Memória Chip Ic Opamp Gp de TLV316IDBVR Emmc 1 296-47219-1-Nd do circuito Sot23-5 0

 

 

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