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Disposição 20V 25A 23W PPAK 1212-8 do Mosfet de SI7232DN-T1-GE3 2N CH
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | original |
| Marca: | original |
| Certificação: | original |
| Número do modelo: | SI7232DN-T1-GE3 |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 1 |
|---|---|
| Preço: | negotiable |
| Detalhes da embalagem: | Caixa da caixa |
| Tempo de entrega: | dias 1-3working |
| Termos de pagamento: | T/T, L/C |
| Habilidade da fonte: | 100.000 |
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Informação detalhada |
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| Estado do produto: | Ativo | Tecnologia: | MOSFET (óxido de metal) |
|---|---|---|---|
| Configuração: | N-canal 2 (duplo) | Característica do FET: | Porta do nível da lógica |
| Drene à tensão da fonte (Vdss): | 20V | Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C: | 25A |
| RDS (máximo) @ na identificação, Vgs: | 16.4mOhm @ 10A, 4.5V | Identificação de Vgs (th) (máximo) @: | 1V @ 250µA |
| Destacar: | SI7232DN-T1-GE3,Disposição 20V 25A 23W do Mosfet,20V 25A 23W PPAK |
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Descrição de produto
Mosfet atual 2n-Ch 20v 25a Ppak 1212-8 dos resistores do sentido SI7232DN-T1-GE3
Montagem de superfície PowerPAK® 1212-8 da disposição 20V 25A 23W do Mosfet duplo
Especificações de SI7232DN-T1-GE3
| TIPO | DESCRIÇÃO |
| Categoria | Produtos de semicondutor discretos |
| Transistor | |
| FETs, MOSFETs | |
| O FET, MOSFET põe | |
| Mfr | Vishay Siliconix |
| Série | TrenchFET® |
| Pacote | Fita & carretel (TR) |
| Corte a fita (os CT) | |
| Digi-Reel® | |
| Estado do produto | Ativo |
| Tecnologia | MOSFET (óxido de metal) |
| Configuração | N-canal 2 (duplo) |
| Característica do FET | Porta do nível da lógica |
| Drene à tensão da fonte (Vdss) | 20V |
| Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C | 25A |
| RDS (máximo) @ na identificação, Vgs | 16.4mOhm @ 10A, 4.5V |
| Identificação de Vgs (th) (máximo) @ | 1V @ 250µA |
| Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 32nC @ 8V |
| Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 1220pF @ 10V |
| Poder - máximo | 23W |
| Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montando o tipo | Montagem de superfície |
| Pacote/caso | PowerPAK® 1212-8 duplo |
| Pacote do dispositivo do fornecedor | PowerPAK® 1212-8 duplo |
| Número baixo do produto | SI7232 |
Características de SI7232DN-T1-GE3
O pacote de PowerPAK 1212-8 (figura 1) é um derivado de PowerPAK SO-8. Utiliza a mesma tecnologia de empacotamento, maximizando a área do dado. A parte inferior da almofada do anexo do dado é exposta para fornecer um trajeto térmico da resistência direta, baixa à carcaça que o dispositivo é montado sobre. O PowerPAK 1212-8 traduz assim os benefícios do PowerPAK SO-8 em um pacote menor, com o mesmo nível de desempenho térmico. (Refira por favor montagem PowerPAK SO-8 da nota de aplicação de “e Considerations.") térmico
Aplicações de SI7232DN-T1-GE3
Os pacotes da superfície-montagem de Vishay Siliconix cumprem exigências da confiança do reflow da solda. Os dispositivos são sujeitados para soldar o reflow como um teste de precondicionamento e confiança-testados então usando o ciclo da temperatura, a umidade da polarização, o HAST, ou o potenciômetro da pressão. A pintura à têmpera do reflow da solda
Classificações ambientais & da exportação de SI7232DN-T1-GE3
| ATRIBUTO | DESCRIÇÃO |
| Estado de RoHS | ROHS3 complacente |
| Nível da sensibilidade de umidade (MSL) | 1 (ilimitado) |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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