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CY62157ELL-45ZSXIT Chip Sensor de Temperatura Ic Sram 8mbit Paralelo 44tsop Ii
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | original |
| Marca: | original |
| Certificação: | original |
| Número do modelo: | CY62157ELL-45ZSXIT |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 1 |
|---|---|
| Preço: | negotiation |
| Detalhes da embalagem: | Caixa da caixa |
| Tempo de entrega: | dias 1-3working |
| Termos de pagamento: | T/T, L/C |
| Habilidade da fonte: | 100.000 |
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Informação detalhada |
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| Estado do produto: | Ativo | Tipo da memória: | Temporário |
|---|---|---|---|
| Formato da memória: | SRAM | Tecnologia: | SRAM - Assíncrono |
| Tamanho de memória: | 8Mbit | Organização da memória: | 512K x 16 |
| Relação da memória: | Paralelo | Tempo de Ciclo de Gravação - Word, Página: | 45ns |
Descrição de produto
CY62157ELL-45ZSXIT Chip Sensor de Temperatura Ic Sram 8mbit Paralelo 44tsop Ii
SRAM - Memória Assíncrona IC 8Mbit Paralela 45 ns 44-TSOP II
Especificações de CY62157ELL-45ZSXIT
| TIPO | DESCRIÇÃO |
| Categoria | Circuitos Integrados (CIs) |
| Memória | |
| Memória | |
| Mfr | Tecnologias Infineon |
| Series | MoBL® |
| Pacote | Fita e Carretel (TR) |
| Status do produto | Ativo |
| Tipo de memória | Volátil |
| Formato de memória | SRAM |
| Tecnologia | SRAM - Assíncrono |
| Tamanho da memória | 8Mbit |
| organização da memória | 512K x 16 |
| Interface de Memória | Paralelo |
| Tempo de Ciclo de Gravação - Word, Página | 45ns |
| Tempo de acesso | 45 ns |
| Tensão - Fornecimento | 4,5V ~ 5,5V |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montagem | Montagem em superfície |
| Pacote / Estojo | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm de largura) |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 44-TSOP II |
| Número do produto base | CY62157 |
Características deCY62157ELL-45ZSXIT
■ Velocidade muito alta: 45 ns
- Industrial: –40 °C a +85 °C
- Automotivo-E: –40 °C a +125 °C
■ Ampla faixa de tensão: 4,5 V–5,5 V
■ Energia de espera ultra baixa
- Corrente de espera típica: 2 A
- Corrente máxima em standby: 8 A (Industrial)
■ Potência ativa ultra baixa
- Corrente ativa típica: 1,8 mA em f = 1 MHz
■ Energia de espera ultra baixa
■ Fácil expansão de memória com recursos CE1, CE2 e OE
■ Desligamento automático quando desmarcado
■ CMOS para velocidade e potência ideais
■ Disponível em pacote TSOP II de 44 pinos livre de Pb e pacote VFBGA de 48 bolas
Aplicações deCY62157ELL-45ZSXIT
O CY62157E é uma RAM estática CMOS de alto desempenho organizada como 512K palavras por 16 bits.Este dispositivo apresenta um design de circuito avançado para fornecer corrente ativa ultra baixa.Isso é ideal para fornecer More Battery Life (MoBL®) em aplicações portáteis.O dispositivo também possui um recurso de desligamento automático que reduz significativamente o consumo de energia quando os endereços não estão alternando.Coloque o dispositivo no modo de espera quando desmarcado (CE1 HIGH ou CE2 LOW ou ambos BHE e BLE são HIGH).Os pinos de entrada ou saída (I/O0 a I/O15) são colocados em um estado de alta impedância quando:
■ Desmarcado (CE1HIGH ou CE2 LOW)
■ As saídas estão desativadas (OE HIGH)
■ Tanto a habilitação de byte alto quanto a habilitação de byte baixo estão desabilitadas (BHE, BLE HIGH)
■ A operação de gravação está ativa (CE1 LOW, CE2 HIGH e WE LOW)
Classificações Ambientais e de Exportação deCY62157ELL-45ZSXIT
| ATRIBUTO | DESCRIÇÃO |
| Status RoHS | Compatível com ROHS3 |
| Nível de Sensibilidade à Umidade (MSL) | 3 (168 horas) |
| Estado REACH | REACH não afetado |
| ECCN | 3A991B2A |
| HTSUS | 8542.32.0041 |
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