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FM25H20-DG Sensor de Temperatura Chip Ic Fram 2mbit Spi 40mhz 8dfn
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | original |
| Marca: | original |
| Certificação: | original |
| Número do modelo: | FM25H20-DG |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 1 |
|---|---|
| Preço: | negotiation |
| Detalhes da embalagem: | Caixa da caixa |
| Tempo de entrega: | dias 1-3working |
| Termos de pagamento: | T/T, L/C |
| Habilidade da fonte: | 100.000 |
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Informação detalhada |
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| Pacote: | Tubo | Estado do produto: | Obsoleto |
|---|---|---|---|
| Tipo da memória: | Permanente | Formato da memória: | FRAM |
| Tecnologia: | FRAM (RAM Ferroelectric) | Tamanho de memória: | 2Mbit |
| Organização da memória: | 256K x 8 | Relação da memória: | SPI |
Descrição de produto
FM25H20-DG Sensor de temperatura Chip Ic Fram 2mbit Spi 40mhz 8dfn
FRAM (RAM Ferroelétrica) Memória IC 2Mbit SPI 40 MHz 8-DFN (5x6)
Especificações de FM25H20-DG
| TIPO | DESCRIÇÃO |
| Categoria | Circuitos Integrados (CIs) |
| Memória | |
| Memória | |
| Mfr | Tecnologias Infineon |
| Series | F-RAM™ |
| Pacote | Tubo |
| Status do produto | Obsoleto |
| Tipo de memória | Não volátil |
| Formato de memória | FRAM |
| Tecnologia | FRAM (RAM Ferroelétrica) |
| Tamanho da memória | 2Mbit |
| organização da memória | 256K x 8 |
| Interface de Memória | SPI |
| Frequência do Relógio | 40 MHz |
| Tempo de Ciclo de Gravação - Word, Página | - |
| Tensão - Fornecimento | 2,7V ~ 3,6V |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montagem | Montagem em superfície |
| Pacote / Estojo | Almofada exposta 8-WDFN |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-DFN (5x6) |
| Número do produto base | FM25H20 |
Características deFM25H20-DG
■ Memória de acesso aleatório ferroelétrico de 2 Mbit (F-RAM) logicamenteorganizado como 256 K × 8
- Leitura/gravação de 100 trilhões (1014) de alta resistência
- Retenção de dados por 151 anos (Consulte a seção Retenção de dadosetabela de resistência)
- Gravações NoDelay™
- Processo ferroelétrico avançado de alta confiabilidade
■ Interface periférica serial muito rápida (SPI)
- Até 40 MHz de frequência
-Substituição direta de hardware para flash serial eEEPROM
-Suporta modo SPI 0 (0, 0) e modo 3 (1, 1)
■ Esquema sofisticado de proteção contra gravação
-Proteção de hardware usando o Write Protect (WP)alfinete
-Proteção de software usando Write Disableinstrução
-Proteção de bloco de software para 1/4, 1/2 oumatriz inteira
■ Baixo consumo de energia
-1 mA de corrente ativa a 1 MHz
-80n / D(tipo) corrente de espera
-3n / Dmodo de suspensão atual
■ Operação de baixa tensão: VDD = 2,7 V a 3,6 V
■ Temperatura industrial –40 C a +85 C
■ Pacotes
-Circuito integrado de contorno pequeno de 8 pinos (SOIC)pacote
-Pacote de 8 pinos finos duplos planos sem cabos (TDFN)
■ Restrição de substâncias perigosas (RoHS)compatível
Aplicações deFM25H20-DG
O FM25H20 é uma memória não volátil de 2 Mbits que emprega umprocesso ferroelétrico avançado.Um acesso aleatório ferroelétricomemória ou F-RAM não é volátil e executa leituras e gravaçõessemelhante a uma RAM.Ele fornece retenção de dados confiável por 151 anosenquanto elimina as complexidades, sobrecarga e nível de sistemaproblemas de confiabilidade causados por flash serial, EEPROM e outrosmemórias não voláteis.
Classificações Ambientais e de Exportação deFM25H20-DG
| ATRIBUTO | DESCRIÇÃO |
| Status RoHS | Compatível com ROHS3 |
| Nível de Sensibilidade à Umidade (MSL) | 1 (Ilimitado) |
| Estado REACH | REACH não afetado |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0071 |
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